Il maker cinese Netac ha reso noto di aver completato la fase di sviluppo di moduli di memoria RAM di tipo SDRAM DDR5 molto veloci dal momento che possono vantare un transfer rate fino a 8000 MT/s (MegaTransfers/s) a fronte di un profilo di timing pari a 38-48-48-128. In accordo al produttore, i nuovi moduli di DDR5-8000 sono stati realizzati...

SK hynix ha annunciato il raggiungimento di un accordo commerciale con NVIDIA finalizzato alla fornitura di memoria DRAM di tipo HBM3. La partnership, come sottolineato dalla stessa NVIDIA, rende SK hynix il primo fornitore in assoluto di memoria HBM3 a distanzia di soli sette mesi dall'annuncio dello sviluppo di tale tecnologia. La memoria HBM3 rappresenta...

SK hynix ha annunciato di aver già avviato le prime spedizioni ai partner dei sample di chip di memoria DRAM DDR5 con capacità pari a 24 Gigabit (Gb), un valore che rappresenta l'attuale massimo per l'intero comparto, ove si consideri che si tratta della densità di un unico chip. In accordo al comunicato di SK hynix, i nuovi chip di DDR5...

SK hynix ha annunciato che sta effettuando lo sviluppo della memoria HBM (High Bandwidth Memory) di quarta generazione denominata HBM3. Questa tecnologia, che si basa sull'idea di sovrapporre più chip di memoria DRAM, segue le precedenti implementazioni denominate HBM, HBM2 e HBME. SK hynix osserva che il lavoro già svolto su HBM3, da un...

SK hynix ha dato il via alla produzione in volumi dei chip di memoria DRAM di tipo LPDDR5 con capacità pari a 18GB dedicati ad applicazioni mobile. Più in dettaglio, il maker coreano ha sottolineato che i chip di LPDDR5 da 18GB sono indirizzati agli smartphone di fascia alta al fine di consentire alte prestazioni sia con il gaming abbinato...